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王守武(1919-2014),江苏省苏州人,半导体器件物理学家。1941年毕业于同济大学,1946年获美国普渡大学硕士学位,1949年获博士学位。

王守武先生在半导体科学领域成果丰硕。他组织领导并亲自参加了我国第一台单晶炉的设计,第一根锗单晶的拉制,第一只锗晶体管的研制和第一根硅单晶的拉制。1958 年他亲自创建中国科学院109厂,实现了锗高频晶体管的批量生产。1963年起致力于砷化镓激光器的研究工作,制造了简易的光学定晶向的方法,促进了我国第一个砷化镓激光器的研制成功。1973年起,在领导研究砷化镓中高场畴的动力学以及PNPN负阻激光器的瞬态和光电特性的过程中,提出了一些很有创见的学术观点。1978年带领科技人员进行提高大规模集成电路芯片成品率的研究,解决了一系列技术难题,使中国大规模集成电路芯片的成品率有显著提高,成本大为降低。1980年当选为中国科学院院士(学部委员)。1983年任国务院电子振兴领导小组集成电路顾问组组长,国家科委半导体专业组组长。他的卓越贡献也为他赢得了诸多荣誉,曾荣获中国科学院1979年和1981年科研成果一等奖、中国科学院1985年科技进步二等奖、中国科学院1990年科技进步二等奖、1987年国家科学技术进步二等奖、何梁何利基金2000年度科学与技术进步奖。1979年获全国劳动榜样称号。

1956年起,他曾先后兼任清华大学无线电系半导体教研组第一任主任兼教授,中国科技大学技术物理系副主任兼教授,北京大学、复旦大学兼职教授,成都电子科技大学名誉教授,以及中国科学院研究生院终身教授等职。他是第三、四届全国人大代表,第五、六、七届全国政协委员。

2014年底,王守武院士家属王义向、王义格捐赠人民币150万元和美元60万元,奖励中国科学院微电子研究所和半导体研究所的优秀研究生。

 

 

 

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